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化合物半导体 材料设备 3 小时前

AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统,助力其功率器件大规模量产扩产

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化合物半导体 材料设备 3 小时前

斯坦福 & 宾州州立团队:双面金刚石散热结构让GaN HEMT总热阻直降35%

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化合物半导体 材料设备 3 小时前

上海AI实验室联合团队攻克芯片核心材料光刻胶稳定制备难题

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化合物半导体 材料设备 5 天前

斯坦福 & 宾州州立团队:双面金刚石散热结构让GaN HEMT总热阻直降35% - 化合物半导体

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化合物半导体 材料设备 5 天前

AIXTRON向瑞萨供应GaN MOCVD系统,助力其功率器件大规模量产扩产 - 化合物半导体

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化合物半导体 材料设备 830 天前

自支撑衬底上的红光InGaN micro-LED - 化合物半导体

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化合物半导体 材料设备 1010 天前

BelGaN 650V eGaN工艺技术正式量产 - 化合物半导体

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化合物半导体 材料设备 1210 天前

SiC ࢅ GaN ຣॽ߸฼ᅃؕǛ - 化合物半导体

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化合物半导体 材料设备 1534 天前

BelGaN 收购安森美半导体比利时工厂 - 化合物半导体

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化合物半导体 材料设备 1924 天前

太阳能材料可以“自我修复”缺陷 - 化合物半导体

太阳能材料可以“自我修复”缺陷 化合物半导体

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